其中vccu、vccv、vccw分别为u、v、w相上桥臂控制电源输入的+端，GNDU、GNDV、GNDW分别为对应的一端;Vinu、vinV、vinW分别为上桥臂u、v、w相控制信号输入端，vcc、GND为下桥臂公用控制电源输入;vinX、vinY、vinZ分别为下桥臂x、Y、z相控制信号输入端;vinDB为制动单元控制信号输入端;ALM为保护电路动作时的报警信号输出端。图1IPM结构框图R系列IGBT—IPM产品包括：中容量600v系列50A～150A、1200v系列2***～7***;大容量600v系列200A～300A、1200v系列100A一150A。共计20多个品种。3功能特点IGBT驱动功能全部IGBT的驱动功能为内置。采用软开关控制，分别使用单独门极电阻，根据驱动元件的特性，可地控制各自的开关山/dl。单电源驱动无需反偏电源，共需4组驱动电源，上桥臂侧3组，下桥臂侧1组公用。由于设计为低阻抗接地方式，可防止因噪声而产生的误导通。通过检测IGBT集电极电流进行过电流保护，如集电极电流超过容许值6—8ps，则软关断IGBT，由于有6—8ps的保护动作延时，瞬间过电流及噪声不会导致误动作。同时还具有防止误动作闭锁功能，在保护动作闭锁期间，即使有控制信号输入，IGBT也不工作。过电流保护动作时，短路保护将联动，能抑制因负载短路及桥臂短路的峰值电流。

    本实用新型涉及igbt功率模块技术领域，具体为一种igbt功率模块的安装机构。背景技术：igbt，绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点，gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小，igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。igbt功率模块使用前需要将其进行安装，安装igbt功率模块需要用到安装机构，但是，现有igbt功率模块的安装机构操作时繁琐，不方便使用者安装igbt功率模块，浪费了使用者大量的时间，降低了igbt功率模块安装的效率。技术实现要素：本实用新型的目的在于提供一种igbt功率模块的安装机构，具备方便安装的优点，解决了现有igbt功率模块的安装机构操作时繁琐，不方便使用者安装igbt功率模块的问题。为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种igbt功率模块的安装机构，包括底座，所述底座内部的两侧均开设有容纳槽。

江苏芯钻时代电子科技有限公司，专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售，具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列，富士系列等模块为主，同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。